SJT 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理
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2024-7-28 |
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UDC 621.382.049.75-181.4:621.317.08,Cjjイキ人民共和国国家标准,GB 3443—82,降为 SJ/T 10739-96,半导体集成电路MOS随机存储器,测试方法的基本原理,General principles of measuring methods of,MOS random access memory for,semiconductor integrated circuits,1982 - 1 2 - 31 发布1983 - 10 -01 实施,国京ネ示准局批准,中华人民共和国国家标准,半导体集成电路MOS随机存储器,测试方法的基本原理,UDC 621.382.049,.75-181.4,:621.317.08,GB 3443—82,General principles of measuring methods of,W)S random access memory for,semiconductor integrated circuits,本标准规定了半导体集成电路MOS随机存储器(以下简称器件)静态参数、动态参数和功能测试,方法的基本原理,本标准是参考国际电エ委员会(IEC) 147—2《半导体器件和集成电路测试方法的基本原理》制,订的,若无特殊说明,本标准涉及的逻辑均为正逻辑,总的要求,1.1 若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定,1.2 测试期间,应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范,的规定,1.3 测试期间,施于被测器件的电源电压应在规定值的±1 %以内。施于被测器件的其他电参量的,精度应符合器件详细规范的规定,1.4,1.5,1.6,1.7,.被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用极限条件,在静态参数测试和动态参数测试前,应进行功能测试,每项测试前应有预置位周期,测试期间,测试设备或操作者应避免因静电感应而引起器件失效,2静态参数测试,2.1输出高电平电压%H,2.1.1定义,输出端在施加规定的条件下,使输出端为逻辑高电平〃时的电压,2.1.2测试原理,输出高电平电压乙)H的测试原理图如图1所示,被测器件,输入网络,国家标准局1982 - 12 - 31发布1983 - 10 - 01 实施,1,GB 3443—82,2.1.3测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a.,b.,环境温度な ,2,2,2,2,2,2,2,2,d.,1.4,电源电压セ)。、Vbb \,输入端逻辑电平,输出端负载电流ル日,测试程序,1.4.1,1.4.2,1.4.3,1.4.4,1.4.5,在器件详细规范规定的环境温度な下,将被测器件接入测试系统中,电源电压%ハ、Vcc.嗓8调到器件详细规范规定的电压值,输入端施加器件详细规范规定的逻辑电平,被测输出端抽出器件详细规范规定的负载电流ル口,其余输出端开路,在被测输出端测得输出高电平电压%”,2输出低电平电压%L,2.1定义,输出端在施加规定的条件下,使输出端为逻辑低电平上时的电压,2.2.2测试原理图,输出低电平电压もL的测试原理图如图2所示,けDDダCC厶6,输入网络,-0,图2,2.2.3测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a.,b.,环境温度な,2,2,2,2,2,2,d.,2.4,电源电压をり、VCc. VBb^,输入端逻辑电平,输出端负载电流ル丄,测试程序,2.4.1,2.4.2,2.4.3,2.4.4,2.4.5,在器件详细规范规定的环境温度な下,将被测器件接入测试系统中,电源电压る。、Vcc. %3调到器件详细规范规定的电压值,输入端施加器件详细规范规定的逻辑电平,被测输出端注入器件详细规范规定的负载电流ルル其余输出端开路,在被测试输出端测得输出低电平电压乙,2.3输入负载电流シ,2.3.1 定义,输入端在施加规定的逻辑电平时的电流,2,GB 8443—82,2.3.2 测试原理图,输入负载电流〃,的测试原理图如图3所示,ー 输入网络,二,9,乙,%,图3,2.3.3 测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a 环境温度な,c,2.3,2.3,2.3,2.3,4,电源电压后り、Vcc. VBB.,输入高电平电压てむ输入低电平电压ウ人,测试程序,4I在器件详细规范规定的环境温度な下,将被测器件接入测试系统中,4.2 电源电压ち0、Vcc,调到器件详细规范规定的电压值,4.3 被测输入端施加器件详细规范规定的输入高电平电压6日,其余输入端施加器件详细规范,规定的输入低电平电压%,2丒3,4丒4输出端开路,2丒3丒4丒5在被测输入端测得输入高电平负载电流,2 3.4,6被测输入端施加器件详细规范规定的输入低电平电压乙ル其余输入端施加器件详细规范,规定的输入高电平电压ウ日,在被测输入端测得输入低电平负载电流,23.4.7由输入高电平负载电流和输入低电平负载电流中数值大者可得输入负载电流〃/,2 3.4.8按本标准第2.3丒4丒3至2丒3丒4.7项规定,分别测试每个输入端,2-4输出高阻态时高电平电流/oza,2.4.1 定义,输入端在施加规定的条件下,使输出为高阻态,输出端施加规定的高电平电压る”时的电流,2.4.2 测试原理图,输出高阻态时高电平电流/〇Z日的测试原理图如图4所示,Vdd VCC 瞑S,输入网络,被關器件,图4,3,GB 3443—82,2.4.3 测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,环境温度な;,b,……
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